一个NAND Flash芯片通常包含多个Plane，每个Plane由多个Block组成，每个Block又包含多个Page。使用Multi Plane操作可以在两个（或更多）Plane的相应Block/Page上并行执行相同的操作。

下面介绍一些常见的Multi Plane操作：

1. Multi Plane Read： 同时从多个Plane的相应Page中读取数据。

2. Multi Plane Program： 同时向多个Plane的相应Page编程数据。

3. Multi Plane Block Erase： 同时擦除多个Plane上的相应Block。

这些操作有助于减少读取、编程和擦除周期的时间，从而提高整体性能。

由于这些操作涉及并行处理，因此它们的实现相对复杂，并且需要硬件和驱动程序对Multi Plane操作的支持。硬件必须能够处理并行命令，并且驱动程序必须精确地管理这些命令和地址。

以下是Multi Plane Program操作的伪代码示例：

#define MULTI_PLANE_PROGRAM_COMMAND_1 0x11 // 第一阶段编程命令
#define MULTI_PLANE_PROGRAM_COMMAND_2 0x81 // 第二阶段编程命令
#define MULTI_PLANE_PROGRAM_CONFIRM 0x10 // 编程确认命令

void multi_plane_program(int plane1_row_address, int plane2_row_address, const char* data_plane1, const char* data_plane2, int data_length) {
    // 发送第一阶段编程命令到第一个Plane
    send_nand_command(MULTI_PLANE_PROGRAM_COMMAND_1);
    send_row_address(plane1_row_address);
    write_data_to_nand(data_plane1, data_length);

    // 发送第一阶段编程命令到第二个Plane
    send_nand_command(MULTI_PLANE_PROGRAM_COMMAND_1);
    send_row_address(plane2_row_address);
    write_data_to_nand(data_plane2, data_length);

    // 发送编程确认命令
    send_nand_command(MULTI_PLANE_PROGRAM_CONFIRM);

    // 等待第一个Plane编程完成
    wait_for_plane_ready(1);

    // 等待第二个Plane编程完成
    wait_for_plane_ready(2);
}

// 使用Multi Plane Program实现高效编程
multi_plane_program(plane1_row_addr, plane2_row_addr, data_buffer_plane1, data_buffer_plane2, buffer_length);

具体的命令码、程序逻辑和时序要求都会因不同NAND Flash制造商和型号的规格而异。为了实现上述操作，你将需要查阅NAND Flash制造商提供的详细数据手册，以确定正确的命令序列、地址映射、以及针对特定设备类型所必需的任何特别注意事项。

在编码以支持Multi Plane操作前，验证NAND Flash设备确实具备此功能是非常重要的。当然，代码也必须确保它遵守了设备对于Multi Plane操作的所有规则，例如在正确的Plane上使用正确的地址。

在一些高级的存储解决方案中，Multi Plane操作也可能会通过闪存转换层（FTL）软件或者固态硬盘（SSD）控制器的内置算法自动管理。这样的算法隐藏了底层的复杂性，为上层应用提供了一个简单的接口。